
by: 亿配芯城 行业资讯 0 2026-03-18 15:20:29
专家驰名功率半导体供应商 AOS(万国半导体)重磅推出两款全新 MOSFET——AONC40202(25V)与AONC68816(80V),专为 AI 劳动器中间总线调遣器(IBC)DC-DC 哄骗量身打造,以DFN 3.3x3.3 双面散热 + 源极朝下(Source-down)** 封装,精确破解高功率密度与高效散热的中枢挑战。
这两款器件立异集成栅极中置布局技能,大幅简化 PCB 布线,裁减栅极驱动器市欢旅途,同步升迁电气性能与系统布板无邪性。针对外露漏极触点优化的顶部夹片操办,更是将双面散热有用面积最大化,可快速导出热量、质问器件温度,从根源减少热应力与功率损耗。
数据清楚,两款 MOSFET 封装顶部热阻(Rthc-top)最大值仅 0.9°C/W,比拟传统单面散热决策,散热恶果与可靠性终了质的飞跃。其中AONC40202支执 405A 执续电流,最高结温达 175°C,开云体育(kaiyun)官方网站搭配AlphaSGT™ 硅技能,进一步强化系统热管束才调、功率密度支执与全体开动恶果,完整适配 AI 劳动器高功耗场景。
张开剩余43%AOS MOSFET 居品线资深总监 Peter H. Wilson 暗意,新品将立异散热封装与先进硅技能结合,为 AI 电源操办提供兼顾高功率密度、可制造性与始终可靠性的完整治理决策,精确应付数据中心电源升级需求。
动作深耕功率半导体限度的龙头企业,AOS 居品遮掩 Power MOSFET、SiC、GaN、IGBT 等全系列,平日适配 AI 劳动器、数据中心、汽车电子等高端场景。这次两款新品的推出,将有劲救助 AI 劳动器电源升级,鼓舞高性能揣度限度技能迭代。
亿配芯城(ICgoodFind):AOS 这两款专为 AI 劳动器优化的 MOSFET,以双面散热与源极朝下封装的立异组合开云体育(kaiyun)官方网站,精确治理了 AI 电源高功率、高散热的核肉痛点,将成为关连操办的优选决策,助力国产 AI 劳动器硬件供应链升级。
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