开云体育 中晶新源Source Down SGT专为高功率密度应用打造

中晶新源(SiNESEMI)专为高功率密度应用打造SMT4501ALRNSCG (45V/1.0mΩ/241A/DFN3333-8L-SCG封装)凯旋斩获 “AI劳动器电源行业奖”。这一盛誉是对产物品质的高度认同，更是对中晶新源赋能AI算力基础设施征战才调的有劲背书。

相较传统漏极底置封装措置决议，该源极底置封装在缩短功率损耗和普及散热性能上发扬更出色，蚁集器件1.0mΩ低导通电阻，为工程师优化PCB空间欺诈率提供关节本事上风，罢了更高的功率密度与系统成果，成为应付AI劳动器日益增长的高功率密度和系统成果优化需求的理思措置决议。

互异化改进赋能 构筑产物竞争壁垒

该产物取舍性格DFN3333-8L-SCG源极底置中心栅极（Source Down）封装本事，集成两大改进蓄意，构建互异化竞争上风。在此行业改进产物中，其封装中的芯片取舍险峻格外(Flip-clip)本事，源极电位（而非漏极电位）径直连结到PCB散热焊盘，与规范的漏极底置决议比拟上情景显，热阻下落20%以上，九游jiuyou提供了更好的热经管才调。

01 高导热紧凑型DFN3333-8L-SCG封装

· 高可靠、安全冗余芯片蓄意，为汽车级可靠性而生

· 动态参数优化，针对高频应用工匠打磨，缩短开关损耗

· 取舍双面散热封装，Rthjc低至0.645℃/W，普及散热成果

· Rds(on)缩短30%，开云体育(kaiyun)官方网站罢了高功率密度和性能

· 取舍Center-Gate本事，扶植多个MOSFET并行设立

· 极低动态寄见效应，可操作在高频1MHz以上

02 封装散热模拟-底部不增多散热片

在6层PCB板、双面散热(装置正面散热器)的条款下，对器件抓续施加3W功率进行测试，限制如下：

· DFN3333-8L-SCG (Flip-chip+Dual-cooling)发扬优；结温为109.67°C，较传统PDFN3333-8L封装(148.15°C)缩短约26%

03 实测成果优于友商

· 成果进一步优化：中晶SMT4501ALRNSCG(45V)实测峰值成果98.21%，较友商40V器件具备更好的蓄意冗余上风

· 措置耐压不及痛点：比拟友商40V耐压蓄意，中晶改进防止至45V，更适配AI劳动器高频大电流动态负载开关应用场景

产物质能优化：优化芯片Qrr/Qoss/Qg参数，缩短空载损耗，助力DC-DC砖块电源调遣成果>98%+

中晶新源紧跟前沿末端应用开云体育，刚烈SGT外洋水准劳动众人客户，抓续聚焦高功率密度、高成果、高可靠性的本事研发与产物改进，先东谈主一步撬动市集先机，为客户改进提供更高效价值！通过芯片和封装本事的抓续改进迭代与匹配，赋能AI劳动器、工业电源、机器东谈主、轻重载无东谈主机、新动力汽车、绿电储能等高潜、高要求场景应用。以本事改进脱手行业升级，为众人电源行业的振奋发展孝顺力量。